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c、高电D18、NFAs和D18/NFAPMHJ共混物的薄膜光学吸收。价成840/930/1,600 纳米（T9SBN-F）。

展拦©2022SpringerNature图4|不同共混物的TA结果。e、不让ToFSIMSSe2−D18/T9SBN-FPMHJ和D18:T9SBN-F-BHJ共混物的离子产率随溅射时间的变化曲线。高电箭头显示了PMHJ共混物与BHJ共混物相比T1抑制的趋势。

价成香港城市大学FrancisR.Lin和AlexK.-Y.Jen和南京大学张春峰教授为论文的共同通讯作者。（6，展拦7）通过非双子复合形成CT状态：CS→1CT/3CT，可能带有1CT/3CT→CS再填充和旋转允许1CT→S0弛豫。

目前最高的电能转换效率(PCEs)为18%，不让不断提高OPV性能以达到理论上可实现的值仍然是一个重大挑战。

d–f，高电促进D18（d）、T9TBO-f（e）和T9SBN-f（f）中DSE形成的代表性填充图案。四、价成数据概览图1多重C-H键的氧化作用。

接下来的挑战是开发一种化学策略，展拦它具有足够强的氧化性，可以影响多次C-H氧化，同时又有足够的选择性，可以避免底物的过度氧化。图4三氟乙酰胺的邻C-H二、不让三氧化及光电催化多重邻C-H氧合的合成应用。

高电图2光电催化近邻C-H二氧化的底物范围。价成相关成果以ElectrophotocatalyticOxygenationofMultipleAdjacentC–HBonds为题发表在国际顶级期刊Nature上。